半導體器件歸類
半導體器件按其成分和構造的差異大體可分成下列幾種。
半導體設備耗材
1，氧化氮合酶半導體材料是由二種或大量原素造成的半導體器件。它的類型許多，關鍵的有氮化鎵、磷化處理錮、銻化錮、碳碳復合材料、硫化鎘及鎵砷硅等。砷是制取微波加熱元器件和集成化電的主要原材料。碳碳復合材料因其優良的防輻射性、耐熱性和有機化學可靠性而被普遍使用于航空航天行業。3.原子晶體半導體器件作為半導體材料的夾層玻璃分成金屬氧化物夾層玻璃和非金屬氧化物夾層玻璃。該材質有著優良的按鈕和記憶力特性，耐輻射源，關鍵用來制做幅值電源開關、記憶力電源開關、固體表明等。
2、原素半導體材料有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。鍺半導體元器件在20世際50時代占主導性，而鍺半導體元器件耐熱、防輻射能力較差，60時代中后期漸漸被光伏材料替代。硅半導體元器件耐熱、輻射源特性好，尤其適用于大電力電子器件的生產制造。硅板材已變成Z常見的增電導體原材料之一?，F階段，光伏材料關鍵適用于集成電路芯片。
如今已經知道的有機化學半導體器件包含萘、鈉、錦綸、氧化鎢及一些酯類化合物，但其主要用途尚不普遍。
半導體器件的性能主要參數針對原材料運用頗為關鍵。因為特點不一樣，主要用途也不一樣。
半導體器件的特點。
半導體器件的導電率對一些少量殘渣十分比較敏感。純凈度很高的半導體器件稱之為本征半導體，常溫狀態其電阻很高，是電的準穩態。殘渣分子給予了導電性流子，促使高純度半導體器件的電阻大幅度降低，殘渣原材料的導電率。這類夾雜半導體材料常稱之為殘渣半導體材料。殘渣半導體材料根據電子器件導電性稱之為N型半導體，根據價錢空穴導電性稱之為P型半導體。當觸碰(組成PN結)或半導體材料與金屬材料觸碰時，因為電子器件(或空穴)濃度值差而蔓延，并在觸碰處產生位壘，因而該觸碰具備單邊傳導性耳聾。
選用PN結的單邊導電率，可做成二極管、三極管、可控硅等不一樣作用的半導體元器件。除此之外，半導體器件的導電率對外部自然環境(如熱、光、電、磁等)的改變十分比較敏感，因而能夠做成各種各樣光敏電阻器用以信息內容變換。尤其是嚴禁網絡帶寬、電阻、自由電子電子密度、非均衡自由電子使用壽命和織構相對密度。帶隙由半導體材料的電子器件和分子條件決定，反映了構成該材料的分子中分子價格的電子器件從約束到隨機模式的動能。介質電子密度，電阻是原料導電的指標值。
